Токовая неустойчивость, обусловленная фазовым переходом полупроводник$-$металл в квазиодномерных структурах

Проведено исследование влияния Джоулева разогрева на вид вольтамперных характеристик (ВАХ) полупроводниковых резисторов, изготовленных на основе кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Теоретически определено аналитическое выражение для ВАХ в рамках квазиодномерной модели и показано, что $S$-образность связана с возникновением «домена» слабого поля при достижении температуры фазового перехода полупроводник$-$металл. Проводится сопоставление расчетных и экспериментальных ВАХ структур.