О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$

Исследована излучательная рекомбинация (ИР) на дефектах структуры в исходном и ядерно легированном (ЯЛ) Si$\langle\text{Ge}\rangle$, создаваемых электронным облучением и последующим отжигом.
Обнаружен ряд новых центров ИР, предположительно включающих в свой состав атомы Ge. Различия в спектрах ИР исходных и ЯЛ образцов интерпретируются как результат внутреннего геттерирования примесей в процессе ЯЛ.