Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами

Методом нестационарной емкостной спектроскопии исследовались накопление и отжиг глубоких центров в нейтральном объеме и в области пространственного заряда ОПЗ GaAs при облучении протонами с энергией 10 МэВ. Показано, что электрическое поле не влияет на накопление центров $E3$ Установлено, что электрическое поле ОПЗ замедляет отжиг центров $E3$ и $E5$ и что отжиг центров $E3$ и $E5$ в нейтральном объеме имеет вторую стадию, которая объясняется влиянием внутренних электрических полей областей разупорядочения. Определены скорости накопления центров $E2$, $E3$, $E5$ и энергии активации отжига данных центров в нейтральном объеме и ОПЗ.