Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 9, страницы 1552–1555 (Mi phts1924)  
Спин-зависимая генерация неравновесных носителей заряда

Ф. И. Борисов, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов
PDF полного текста (546 kB)
Аннотация: Приведены экспериментальные исследования относительного изменения обратного тока $\Delta I/I$ в кремниевых диодах в условиях спинового резонанса. Постоянная времени $\tau$ имеет ярко выраженный активационный характер и по абсолютной величине значительно превышает время жизни неравновесных носителей заряда. Полученные результаты указывают на существование в полупроводниках нового явления — спин-зависимой генерации неравновесных носителей заряда.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. И. Борисов, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов, “Спин-зависимая генерация неравновесных носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1552–1555
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{StrShm84}
\by Ф.~И.~Борисов, В.~И.~Стриха, О.~В.~Третяк, А.~А.~Шматов
\paper Спин-зависимая генерация неравновесных носителей заряда
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 9
\pages 1552--1555
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1924}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1924
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i9/p1552
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025