Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов (Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$ и влияние на них термообработки

Исследовано влияние изохронного кратковременного отжига с закалкой на электрические характеристики метастабильных твердых растворов (Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$.
В ограниченной области составов при отжиге твердых растворов получена конверсия $n$-типа проводимости в $p$-тип и $p$-типа в $n$-тип. Это связывается с перераспределением Ge между катионной и анионной подрешетками (${n\to p}$) с отжигом антиструктурных дефектов Ga$_{\text{As}}$ (${p\to n}$).
Рассчитана концентрация донорных и акцепторных атомов в зависимости от состава (Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$ и оценена величина параметра ближнего порядка твердых растворов для нескольких температур выращивания.