Близкозонный метод измерения скин-эффекта в тонких цилиндрических полупроводниках

Предложен и испытан метод измерения скин-эффекта, позволяющий определять его глубину в тонких малоотражающих цилиндрических полупроводниках. Его можно использовать при разогреве свободных носителей заряда сильным электрическим полем и их лавинном размножении в условиях проявления как нормального, так и аномального скин-эффекта, а также при инерционности протекания СВЧ тока.