Люминесценция кристаллов дифосфида цинка–германия

Исследованы спектры катодолюминесценции и рентгенолюминесценции специально нелегированных и отожженных в парах цинка кристаллов ZnGeP$_{2}$. Все кристаллы имели проводимость $p$-типа. В спектрах излучательной рекомбинации специально нелегированных кристаллов обнаружено пять полос $E_{1}$, $E_{2}$, $E_{3}$, Л$_{1}$ и Л$_{2}$, энергетическое положение которых зависит от концентрации свободных дырок. Показано, что в спектрах катодолюминесценции и рентгенолюминесценции кристаллов, отожженных в парах цинка, полосы $E_{2}$ и Л$_{2}$ исчезают, что коррелирует с приведенными в работе спектрами поглощения. Обсуждается возможная природа локальных центров, ответственных за данную структуру излучательной рекомбинации.
Впервые обнаружено структурное излучение при энергиях, превышающих значение ширины запрещенной зоны. Анализ полученных результатов и литературных данных позволил сделать вывод о том, что данное излучение вызвано электронными переходами, происходящими между подзонами $c$- и $v$-зон.