Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 8, страницы 1422–1425 (Mi phts1886)  
Пикосекундная фотопроводимость арсенида индия

Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Кроткус
PDF полного текста (518 kB)
Аннотация: Описана методика измерения кинетики фотопроводимости, возбуждаемой импульсами пикосекундного лазера. Представлены результаты измерения времен жизни неравновесной плазмы в нелегированном и легированном глубокой примесью хрома арсениде индия. Обсуждена перспективность InAs$\langle$Cr$\rangle$ как материала для быстродействующих оптоэлектронных ключей.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Кроткус, “Пикосекундная фотопроводимость арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1422–1425
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kro84}
\by Э.~Адомайтис, З.~Добровольскис, А.~Кроткус
\paper Пикосекундная фотопроводимость арсенида индия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 8
\pages 1422--1425
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1886}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1886
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i8/p1422
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024