Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур

Изучалось влияние несоответствия параметров решеток $\Delta a_{\perp}$ на характер протекания тока в излучающих InGaAsP/InP двойных $p{-}n$-гетероструктурах.
Установлено, что прямой ток (до ${\sim1\,\text{А/см}^{2}}$) определяется термотуннельной компонентой ${I=I_{0}\exp(qV/\varepsilon}$). С увеличением величины несоответствия $\Delta a_{\perp}$ увеличиваются значения $I_{0}$ и $\varepsilon$, а также расширяется температурный интервал, в котором термотуннельный ток проявляет туннельные признаки.
Обратный ток также термотуннелен и увеличивается, как и прямой, при увеличении $\Delta a_{\perp}$.
Предполагается, что туннельный механизм обусловлен дислокациями несоответствия.