Комбинационное рассеяние света в эпитаксиальных пленках твердых растворов фосфида–арсенида галлия

Предложен метод исследования эпитаксиальных пленок GaP$_{1-x}$As$_{x}$, выращенных на подложках из фосфида галлия, по спектрам комбинационного рассеяния света. Показано, что частоты оптических фононов, соответствующих колебаниям кристаллической подрешетки фосфора, уменьшаются линейно при увеличении концентрации $x$ от 0 до 0.16. По спектрам комбинационного рассеяния на косом срезе одной из пленок изучено распределение основных компонентов твердого раствора. Предложено оценивать дефектность пленок с ориентацией [100] по интенсивности комбинационного рассеяния на поперечном колебании.
Полученные результаты свидетельствуют о том, что метод комбинационного рассеяния может быть применен для контроля концентрации компонентов твердого раствора, изучения их распределения по толщине (профилю) пленки, а также для оценки дефектности поверхности эпитаксиальных пленок GaP$_{1-x}$As$_{x}$, используемых в микроэлектронике.