Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 734–736 (Mi phts172)  
Краткие сообщения

Релаксация электросопротивления моностабильной переключающей структуры в низкоомном состоянии

А. К. Огинскас, К. И. Гашка, А. А. Чеснис

Институт физики полупроводников АН ЛитССР
PDF полного текста (376 kB)
Поступила в редакцию: 09.07.1985
Принята в печать: 07.10.1985
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: А. К. Огинскас, К. И. Гашка, А. А. Чеснис, “Релаксация электросопротивления моностабильной переключающей структуры в низкоомном состоянии”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 734–736
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OgiGasChe86}
\by А.~К.~Огинскас, К.~И.~Гашка, А.~А.~Чеснис
\paper Релаксация электросопротивления моностабильной переключающей
структуры в~низкоомном состоянии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 4
\pages 734--736
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts172
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i4/p734
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024