|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 730–732
(Mi phts170)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным
потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области
поглощения
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, Н. Д. Рухадзе Московский институт электронной техники
Поступила в редакцию: 06.11.1984 Принята в печать: 07.10.1985
Образец цитирования:
И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, Н. Д. Рухадзе, “Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным
потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области
поглощения”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 730–732
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts170 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i4/p730
|
|