Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 730–732 (Mi phts170)  

Краткие сообщения

Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области поглощения

И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, Н. Д. Рухадзе

Московский институт электронной техники
Поступила в редакцию: 06.11.1984
Принята в печать: 07.10.1985
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, Н. Д. Рухадзе, “Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области поглощения”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 730–732
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KolLosOrl86}
\by И.~М.~Колдаев, В.~В.~Лосев, Б.~М.~Орлов, Н.~Д.~Рухадзе
\paper Фоточувствительность структуры с~длинной базой и~приповерхностным
потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS ~в~собственной области
поглощения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 4
\pages 730--732
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts170}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts170
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i4/p730
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024