Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 655–661 (Mi phts1699)  

Шумы в Ge в условиях пространственного усиления винтовых возмущений

В. М. Бондар, А. А. Тарасенко, А. А. Чумак

Институт физики АН УССР, г. Киев
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследуются флуктуации напряжения в образцах Ge в условиях конвективной винтовой неустойчивости. В отличие от существующей общей теории флуктуаций, которая уже на пороге конвективной неустойчивости дает бесконечно большие значения спектральной мощности шума, мы учли ограниченность роста флуктуаций из-за конечной длины их нарастания. Рост флуктуаций происходит лишь на длине их дрейфа от места зарождения до торца образца, что приводит к конечному значению шумовой мощности. Получена общая формула, описывающая вклад в шум неустойчивой моды собственных колебаний электронно-дырочной плазмы. Теоретические кривые находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Исследовано влияние одноосной деформации образцов на шумы. Объясняется физический механизм перестройки их спектра.
Поступила в редакцию: 14.04.1983
Принята в печать: 17.11.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: В. М. Бондар, А. А. Тарасенко, А. А. Чумак, “Шумы в Ge в условиях пространственного усиления винтовых возмущений”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 655–661
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonTarChu84}
\by В.~М.~Бондар, А.~А.~Тарасенко, А.~А.~Чумак
\paper Шумы в~Ge в~условиях пространственного усиления винтовых возмущений
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 4
\pages 655--661
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1699}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1699
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i4/p655
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025