Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении

Впервые при оптическом методе возбуждения исследованы люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP-гетероструктур с широким набором составов активной области. Показано, что вследствие ослабления оже-рекомбинации при переходе от структур с ${\lambda= 1.51}$ мкм к «широкозонным» структурам с ${\lambda= 1.1}$ мкм значение параметра $T_{0.2}$, характеризующего температурную зависимость порога генерации при ${T> 250}$ K, увеличивается от 60 до $90{-}95$ K. По этой же причине при уменьшении $\lambda$ в диапазоне ${1.1 <\lambda< 1.51}$ мкм имеет место снижение и абсолютных порогов в области высоких температур. Значения $T_{0.2}$ и абсолютные значения порогов в «широкозонных» InGaAsP/InP-гетероструктурах ограничены сильной температурной зависимостью эффективности спонтанной люминесценции, не связанной с оже-процессами.