Баллистические фототоки дырок

Вычислен статический ток, обусловленный релаксацией импульса анизотропно возбуждаемых при переходах между тяжелой и легкой подзонами дырок (баллистический фототок). Рассмотрены случаи, когда нецентроинверсность изотропного полупроводника возникает из-за учета: 1)  слабого постоянного электрического поля (анизотропная фотопроводимость); 2)  волнового вектора излучения (эффект увлечения); 3)  обедненного дырками приповерхностного слоя (поверхностный фото гальванический эффект). Показано, что магнитное поле излучения дает существенный вклад в эффект увлечения дырок. Оцениваются возможности наблюдения анизотропии фотопроводимости и поверхностного фотогальванического эффекта.