Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 525–528 (Mi phts121)  
Краткие сообщения

Особенности ультразвукового воздействия на Si$\langle$Li$\rangle$-детекторы с неравномерным распределением электрического поля

Б. Н. Заверюхин, В. Д. Кревчик, Р. А. Муминов, А. Ш. Шамагдиев

Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз
PDF полного текста (442 kB)
Поступила в редакцию: 06.07.1984
Принята в печать: 03.06.1985
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Б. Н. Заверюхин, В. Д. Кревчик, Р. А. Муминов, А. Ш. Шамагдиев, “Особенности ультразвукового воздействия на Si$\langle$Li$\rangle$-детекторы с неравномерным распределением электрического поля”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 525–528
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZavKreMum86}
\by Б.~Н.~Заверюхин, В.~Д.~Кревчик, Р.~А.~Муминов, А.~Ш.~Шамагдиев
\paper Особенности ультразвукового воздействия на
Si$\langle$Li$\rangle$-детекторы с~неравномерным распределением
электрического поля
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 3
\pages 525--528
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts121}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts121
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i3/p525
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024