|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 722–728
(Mi phts1172)
|
|
|
|
Поляризация люминесценции n-InSb в сильном магнитном поле
при двухфотонной накачке
М. А. Алексеев, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, И. А. Меркулов, А. О. Степанов
Аннотация:
В n-InSb экспериментально исследована зависимость от магнитного
поля интегральной интенсивности и поляризации люминесценции при
объемном (двухфотонном) возбуждении. Результаты интерпретируются с помощью
простой модели, основанной на межзонном механизме излучательной рекомбинации
термализованных электронов и дырок, находящихся в состояниях,
квантованных магнитным полем.
Показано, что сложная, немонотонная зависимость поляризации люминесценции
от магнитного поля обусловлена двумя процессами: ориентацией спинов
свободных электронов (парамагнетизм Паули) и квантованием их орбитального
движения (диамагнетизм Ландау). В слабых магнитных полях доминирующую роль
играет ориентация спинов, и поляризация люминесценции растет с увеличением
поля. В сильных полях квантование орбитального движения приводит к падению
поляризации и в квантовом пределе она изменяет знак. Показано, что
орбитальное движение электронов влияет на правила отбора, так как
люминесценция определяется рекомбинацией с тяжелыми дырками.
Образец цитирования:
М. А. Алексеев, М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, И. А. Меркулов, А. О. Степанов, “Поляризация люминесценции n-InSb в сильном магнитном поле
при двухфотонной накачке”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 722–728
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1172 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i4/p722
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 66 | PDF полного текста: | 60 |
|