|
ФИЗИКА
Тонкопленочный конденсатор на основе титаната бария, сформированного золь-гель методом на титане
Н. В. Гапоненкоa, Р. Т. Махмутовa, Е. И. Лашковскаяa, Е. В. Телешa, К. В. Шустиковаa, В. А. Ковалевa, Ю. В. Радюшb, Д. В. Жигулинc, В. А. Пилипенкоc, А. В. Семченкоd a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
c ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
d Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
Аннотация:
На основе многослойной золь-гель пленки титаната бария с использованием титановой подложки изготовлен лабораторный тонкопленочный конденсатор. Приведены результаты измерения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь сформированного конденсатора в диапазоне частот 0,2 кГц – 200 кГц. Установлено, что при переходе от низкочастотного диапазона к высокочастотному значение тангенса угла диэлектрических потерь уменьшается на порядок и составляет 0,032–0,039 для диапазона частот от 50 кГц до 200 кГц. Для всего исследуемого диапазона значение емкости конденсатора составляет 560–750 пФ и удельной емкости 41–55 нФ/см$^2$. Для диапазона частот 0,2 кГц – 200 кГц рассчитана диэлектрическая проницаемость титаната бария, изменяющаяся от 136 до 43.
Ключевые слова:
BaTiO$_3$, золь-гель метод, емкость пленочного конденсатора, тангенс угла диэлектрических потерь.
Поступила в редакцию: 28.05.2024
Образец цитирования:
Н. В. Гапоненко, Р. Т. Махмутов, Е. И. Лашковская, Е. В. Телеш, К. В. Шустикова, В. А. Ковалев, Ю. В. Радюш, Д. В. Жигулин, В. А. Пилипенко, А. В. Семченко, “Тонкопленочный конденсатор на основе титаната бария, сформированного золь-гель методом на титане”, ПФМТ, 2024, № 3(60), 7–12
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pfmt975 https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2024/i3/p7
|
|