Низкотемпературные процессы формирования нанокомпозитных пленок для оптоэлектроники

Разработана методика синтеза золь-гель пленок ITO с внедренными нанокристаллами ZnGa$_2$O$_4$:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$ (YAGG:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$), проявляющими длительное послесвечение на поверхности фотоэлектрического солнечного элемента. Интенсивность люминесценции для золь-гель пленки с нанокристаллами ZnGa$_2$O$_4$:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$ имеет интенсивность на порядок ниже, чем для пленок ITO с нанокристаллами YAGG:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$. Применение метода Печини обеспечивает интенсивность люминесценции пленок ITO с нанокристаллами YAGG:Cr$^{3+}$, Yb$^{3+}$ в 4 раза выше, чем метод химического осаждения. Нанокристаллы вводились в матрицу на основе ITO. In$_2$O$_3$:SnO$_2$ (ITO) – полупроводник с шириной запрещенной зоны 3,0–4,3 эВ, обеспечивающий высокое пропускание в видимой области света. Тонкие пленки ITO используются в оптоэлектронике и микроэлектронике в качестве прозрачного проводящего контакта для ряда оптоэлектронных продуктов, включая солнечные элементы, светодиоды, лазерные диоды и плоские дисплеи.