|
ТЕХНИКА
Моделирование плазмохимического травления функционального слоя нитрида кремния на подслое диоксида кремния в технологиях микроэлектроники
В. В. Емельяновa, А. Н. Купоb, В. А. Емельяновc a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
b Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
c ОАО «Интеграл», Минск
Аннотация:
Проведено математическое моделирование плазмохимического травления (ПХТ) пленки нитрида кремния
в плазме газовой смеси, содержащей в качестве фторсодержащего газа гексафторид серы в количестве $70$–$91$ об.$\%$ и кислород в количестве $30$–$9$ об.$\%$, при плотности мощности плазмы $I = 0,2$–$0,4$ Вт/см$^2$ и рабочем давлении $P = 4$–$8$ Па.
Ключевые слова:
плазмохимическое травление, нитрид кремния, математическое моделирование.
Поступила в редакцию: 16.08.2023
Образец цитирования:
В. В. Емельянов, А. Н. Купо, В. А. Емельянов, “Моделирование плазмохимического травления функционального слоя нитрида кремния на подслое диоксида кремния в технологиях микроэлектроники”, ПФМТ, 2023, № 3(56), 60–63
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pfmt919 https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2023/i3/p60
|
|