|
ФИЗИКА
Прогнозирование свойств полупроводниковых золь-гель слоев Zn$_x$Mg$_y$O с помощью искусственных нейронных сетей
Ю. В. Никитюк, А. В. Семченко, В. В. Сидский, К. Д. Данильченко, В. А. Прохоренко Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
Аннотация:
С использованием искусственных нейронных сетей выполнено прогнозирование свойств полупроводниковых золь-гель пленок состава Zn$_x$Mg$_y$O. Для формирования обучающего массива данных и массива данных для тестирования нейронных сетей золь-гель методом были сформированы пленки ZnO : Mg. Измерение фотоэлектрических
характеристик золь-гель покрытий было выполнено на автоматизированном базовом лазерном испытательном комплексе в соответствии с ГОСТ-17772-88. Эксперименты были выполнены для 150 вариантов входных параметров, 135
из которых были использованы для обучения нейронных сетей. В работе выполнено исследование влияния архитектуры нейронных сетей на точность прогнозирования свойств полупроводниковых золь-гель пленок Zn$_x$Mg$_y$O.
Ключевые слова:
нейронная сеть, золь-гель метод, тонкие пленки.
Поступила в редакцию: 26.01.2022
Образец цитирования:
Ю. В. Никитюк, А. В. Семченко, В. В. Сидский, К. Д. Данильченко, В. А. Прохоренко, “Прогнозирование свойств полупроводниковых золь-гель слоев Zn$_x$Mg$_y$O с помощью искусственных нейронных сетей”, ПФМТ, 2022, № 1(50), 28–32
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pfmt822 https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2022/i1/p28
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 72 | PDF полного текста: | 47 | Список литературы: | 20 |
|