Прогнозирование электрических характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе поликристаллического кремния по моделям их деградации

Представлены результаты ускоренных испытаний полупроводниковых фотоэлектрических (солнечных) элементов (СЭ) класса B на основе поликристаллического кремния. Установлено, что автомодельность эксперимента соблюдается при температурах до 150–160$^\circ$ С и уровнях освещения до 2000 Вт/м$^2$. За 168 ч ускоренных испытаний относительная деградация КПД составила 5,8%. Установлена закономерность деградации коэффициента заполнения ($ff$) и тока короткого замыкания ($I_{sc}$) СЭ в начальный и конечный момент времени испытаний.