Формирование пленок оксида тантала на подложках диаметром 200 миллиметров

В результате исследований процессов реактивного магнетронного распыления Ta мишени в среде Ar/O$_2$ рабочих газов установлено, что формирование диэлектрических пленок наблюдается при концентрациях O$_2$ более 50% и определяется энтальпией образования оксида из исходного металла. Использование высоковакуумного распыления позволяет стабилизировать процесс без использования систем обратной связи. Показано, что при нанесении пленок оксида тантала на вращающуюся подложку $\varnothing$ 200 мм возможно получение слоев с неравномерностью толщины менее $\pm$2.4% и неравномерностью распределения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь менее $\pm$18%.