Исследование характеристик потока импульсов шумовых диодов, работающих в режиме микроплазменного пробоя

Определены зависимости интенсивности потока выходных импульсов от напряжения обратного смещения шумовых диодов и силы тока, протекающей через их $p-n$-переход. Установлены основные процессы, влияющих на величину интенсивности потока выходных импульсов кремниевых шумовых диодов, работающих в режиме микроплазменного пробоя. Получено, что к таким процессам можно отнести ударную ионизацию, термогенерацию и туннелирование носителей электрического заряда.