|
Проблемы физики, математики и техники, 2018, выпуск 1(34), страницы 33–37
(Mi pfmt549)
|
|
|
|
ФИЗИКА
Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления
Д. Э. Окоджиa, Д. А. Голосовa, С. Н. Мельниковa, С. М. Завадскийa, В. В. Колосb, Е. А. Поплевкаa, Ю. А. Жуковичb a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
b ОАО «Интеграл», Минск
Аннотация:
Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT), нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления на Pt/TiO$_x$/SiO$_2$/Si подложки. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации и коэрцитивной силы пленок SBT от режимов последующего отжига. При температуре отжига $800^\circ$ C получены пленки с остаточной поляризацией $2P_r = 3,02$ мкКл/см$^2$, коэрцитивной силой $2E_c = 140$ кВ/см. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь на частоте $1,0$ МГц составляли соответственно $\varepsilon = 125$ и $\mathrm{tg}\,\beta = 0,067$. Температура Кюри пленок достигала $310$–$315^\circ$ С.
Ключевые слова:
энергонезависимая память, FeRAM, сегнетоэлектрики, танталат стронция-висмута, SBT, ВЧ магнетронное распыление.
Поступила в редакцию: 01.02.2018
Образец цитирования:
Д. Э. Окоджи, Д. А. Голосов, С. Н. Мельников, С. М. Завадский, В. В. Колос, Е. А. Поплевка, Ю. А. Жукович, “Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления”, ПФМТ, 2018, № 1(34), 33–37
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pfmt549 https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2018/i1/p33
|
|