Повышение энергоэффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения $\mathrm{CuIn_{1-x}Ga_xSe_2}$

Рассмотрены вопросы влияния температуры тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения $\mathrm{CuIn_{1-x}Ga_xSe_2}$ на их характеристики при различных значениях толщины поглощающего слоя и концентрации галлия. Определены оптимальные значения толщины поглощающего слоя, проведено моделирование вольт-амперных характеристик для рассматриваемой конструкции солнечного элемента. Показано, что при толщине поглощающего слоя, равной $3$ мкм, КПД солнечного элемента может достигать $22,65 \%$ с коэффициентом заполнения $FF = 82,31 \%$, напряжением холостого хода $V_{OC} = 0,81$ В и током короткого замыкания $J_{SC} = 33,93$ мА/см$^2$.