|
Проблемы физики, математики и техники, 2015, выпуск 3(24), страницы 33–37
(Mi pfmt387)
|
|
|
|
ФИЗИКА
Аналитическое решение обратной задачи спектрофотометрии для поглощающего слоя на поглощающей подложке с диэлектрическим слоем
Н. И. Стаськовa, С. О. Парашковa, А. В. Шиловa, Н. А. Крекотеньb a Могилевский государственный университет им. А. А. Кулешова, Могилев, Беларусь
b ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
Аннотация:
На примере двухслойной структуры полупроводник–диэлектрик–полупроводник рассмотрена возможность аналитического определения оптических параметров $n_1(\lambda)$, $k_1(\lambda)$ и толщины $d_1$ верхнего слоя по огибающим спектров отражения при нормальном падении света. Рассчитать такие функции даже для случая отсутствия переходных зон
между слоями очень сложно. Несовпадение огибающих расчетных и измеренных коэффициентов отражения в определенных областях спектров указывает на наличие неоднородных поверхностных и переходных зон в реальных структурах $\mathrm{рSi}$–$\mathrm{SiO}_2$–$\mathrm{cSi}$.
Ключевые слова:
двухслойная структура, оптические спектры, огибающие экстремумов, переходные слои, $\mathrm{рSi}$–$\mathrm{SiO}_2$–$\mathrm{cSi}$.
Поступила в редакцию: 14.09.2014
Образец цитирования:
Н. И. Стаськов, С. О. Парашков, А. В. Шилов, Н. А. Крекотень, “Аналитическое решение обратной задачи спектрофотометрии для поглощающего слоя на поглощающей подложке с диэлектрическим слоем”, ПФМТ, 2015, № 3(24), 33–37
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pfmt387 https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2015/i3/p33
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 109 | PDF полного текста: | 64 | Список литературы: | 51 |
|