Аналитическое решение обратной задачи спектрофотометрии для поглощающего слоя на поглощающей подложке с диэлектрическим слоем

На примере двухслойной структуры полупроводник–диэлектрик–полупроводник рассмотрена возможность аналитического определения оптических параметров $n_1(\lambda)$, $k_1(\lambda)$ и толщины $d_1$ верхнего слоя по огибающим спектров отражения при нормальном падении света. Рассчитать такие функции даже для случая отсутствия переходных зон между слоями очень сложно. Несовпадение огибающих расчетных и измеренных коэффициентов отражения в определенных областях спектров указывает на наличие неоднородных поверхностных и переходных зон в реальных структурах $\mathrm{рSi}$–$\mathrm{SiO}_2$–$\mathrm{cSi}$.