Эллипсометрия переходных слоев полупроводник–диэлектрик

Для тонких ($d<0,1\lambda$) оксидных слоев на кремниевой подложке установлена связь поляризуемости слоя с его оптической толщиной. Показано, что структуру неоднородного поверхностного слоя при термообработке пластин кремния КДБ 12 можно интерпретировать комбинированной пятислойной моделью с одиннадцатью параметрами, которые учитывают поверхностный слой, прозрачный оксидный слой, первый промежуточный слой, эффективный переходный слой, второй промежуточный слой и подложку.