|
Проблемы физики, математики и техники, 2011, выпуск 3(8), страницы 24–27
(Mi pfmt116)
|
|
|
|
ФИЗИКА
Получение гетероструктур SiO$_2$/ZnO/Si золь-гель методом
В. В. Малютина-Бронскаяa, А. М. Поликанинa, В. Б. Залесскийa, А. В. Семченкоb, В. В. Сидскийb, В. Е. Гайшунb a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск
b Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины, Гомель
Аннотация:
В работе рассматривается анализ вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик структур SiO$_2$/ZnO/Si, полученных золь-гель методом с использованием различных исходных веществ, таких как нитрат цинка, хлорид цинка и ацетат цинка. Рассчитана плотность дефектов на границе раздела ZnO/Si с использованием Мотт–Шоттки зависимостей С$_2$(U). Определен основной механизм проводимости – токи, ограниченные пространственным зарядом. Показано, что пленки, полученные с использованием ацетата цинка, обладают фоточувствительностью.
Ключевые слова:
золь-гель, ZnO,вольт-фарадные характеристики, вольт-амперные характеристики.
Поступила в редакцию: 02.09.2011
Образец цитирования:
В. В. Малютина-Бронская, А. М. Поликанин, В. Б. Залесский, А. В. Семченко, В. В. Сидский, В. Е. Гайшун, “Получение гетероструктур SiO$_2$/ZnO/Si золь-гель методом”, ПФМТ, 2011, № 3(8), 24–27
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pfmt116 https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2011/i3/p24
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 166 | PDF полного текста: | 79 | Список литературы: | 21 |
|