|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
| 1. |
A. I. Oreshkin, R. Z. Bakhtizin, P. Murugan, V. Kumar, N. Fukui, T. Hashizume, T. Sakurai, “Initial stage of flourofullerene molecules adsorption on Si surface”, Письма в ЖЭТФ, 92:7 (2010), 495–498    ; JETP Letters, 92:7 (2010), 449–452 |
11
|
|
2007 |
| 2. |
A. I. Oreshkin, R. Z. Bakhtizin, J. T. Sadowski, Y. Fujikawa, T. Sakurai, “Formation of highly crystalline $C_{60}$ molecular films on Bi(0001)/Si(111) surface”, Письма в ЖЭТФ, 86:8 (2007), 594–597 ; JETP Letters, 86:8 (2007), 522–525 |
2
|
|
2004 |
| 3. |
Р. З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе, Ч.-К. Щуе, К.-Х. Ву, Т. Сакурай, “Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов”, УФН, 174:4 (2004), 383–405 ; R. Z. Bakhtizin, Q.-Zh. Xue, Q.-K. Xue, K.-H. Wu, T. Sakurai, “Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth”, Phys. Usp., 47:4 (2004), 371–391 |
13
|
|
1997 |
| 4. |
Р. З. Бахтизин, Т. Хашицуме, Ч.-К. Щуе, Т. Сакурай, “Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии”, УФН, 167:11 (1997), 1227–1241 ; R. Z. Bakhtizin, T. Hashizume, Q.-K. Xue, T. Sakurai, “Atomic structures on a GaAs(001) surface grown by molecular beam epitaxy”, Phys. Usp., 40:11 (1997), 1175–1187 |
7
|
| 5. |
Р. З. Бахтизин, Т. Хашицуме, Ш.-Д. Вонг, Т. Сакурай, “Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников”, УФН, 167:3 (1997), 289–307 ; R. Z. Bakhtizin, T. Hashizume, W.-D. Wang, T. Sakurai, “Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces”, Phys. Usp., 40:3 (1997), 275–290 |
16
|
|
Обратная связь: