|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
1. |
Р. К. Яфаров, Н. О. Шабунин, В. Я. Шаныгин, А. М. Захаревич, “Наноуглеродные композиты для безнакальных магнетронов СВЧ и субтерагерцового диапазонов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 20:2 (2020), 134–143 |
|
2019 |
2. |
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, Д. В. Нефедов, “Углеродный пленочный нанокомпозит для сильноточных полевых источников электронов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:1 (2019), 68–75 |
3
|
|
2017 |
3. |
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, “Поверхностное наноструктурирование в системе углерод–кремний (100) при микроволновой плазменной обработке”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 558–562 ; R. K. Yafarov, V. Ya. Shanygin, “Surface nanostructuring in the carbon–silicon(100) system upon microwave plasma treatment”, Semiconductors, 51:4 (2017), 531–535 |
11
|
|
2016 |
4. |
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, “Морфологическая неустойчивость поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ ионно-физическом травлении”, Физика твердого тела, 58:2 (2016), 350–353 ; R. K. Yafarov, V. Ya. Shanygin, “Surface morphological instability of silicon (100) crystals under microwave ion physical etching”, Phys. Solid State, 58:2 (2016), 360–363 |
5. |
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин, “Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 55–59 ; R. K. Yafarov, V. Ya. Shanygin, “Morphological stability of the atomically clean surface of silicon (100) crystals after microwave plasma-chemical processing”, Semiconductors, 50:1 (2016), 54–58 |
1
|
|