|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. А. Дементьев, Е. В. Дементьева, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура термически окисленного вольфрама”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1166–1171   ; P. A. Dementev, E. V. Dementevа, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of thermally oxidized tungsten”, Phys. Solid State, 63 (2021), 1153–1158 |
| 2. |
Е. В. Иванова, П. А. Дементьев, М. В. Заморянская, Д. А. Закгейм, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, А. В. Кремлева, М. А. Одноблюдов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. Е. Бугров, “Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 421–426 ; E. V. Ivanova, P. A. Dementev, M. V. Zamoryanskaya, D. A. Zakgeim, D. Yu. Panov, V. A. Spiridonov, A. V. Kremleva, M. A. Odnoblyudov, D. A. Bauman, A. E. Romanov, V. E. Bugrov, “Study of charge carrier traps in bulk crystal gallium oxide $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 544–549 |
2
|
| 3. |
П. А. Дементьев, Е. В. Дементьева, Т. В. Львова, В. Л. Берковиц, М. В. Лебедев, “Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 644–648 ; P. A. Dementev, E. V. Dementevа, T. V. L'vova, V. L. Berkovits, M. V. Lebedev, “Optical and electronic properties of passivated InP(001) surfaces”, Semiconductors, 55:8 (2021), 667–671 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1618–1626 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of an ultrathin molybdenum oxide film”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1787–1795 |
1
|
| 5. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1171–1178 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Gold nanoparticles adsorbed on tungsten: effect of sodium atom deposition and heating”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1317–1324 |
| 6. |
P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1395 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1698–1701 |
1
|
|
2019 |
| 7. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2024–2029 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of molybdenum oxidized in air”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 1993–1998 |
1
|
| 8. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. В. Заморянская, “Ловушки в нанокомпозитном слое кремний-диоксид кремния и их влияние на люминесцентные свойства”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1448–1454 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. V. Zamoryanskaya, “Traps in the nanocomposite layer of silicon-silicon dioxide and their influence on the luminescent properties”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1394–1400 |
8
|
| 9. |
С. П. Лебедев, И. С. Бараш, И. А. Елисеев, П. А. Дементьев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1940–1946 ; S. P. Lebedev, I. S. Barash, I. A. Eliseyev, P. A. Dementev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1843–1849 |
2
|
| 10. |
К. Н. Орехова, Ю. М. Серов, П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, В. А. Кравец, В. П. Усачева, М. В. Заморянская, “Исследование контаминационной пленки, формирующейся под действием электронного пучка”, ЖТФ, 89:9 (2019), 1412–1419 ; K. N. Orekhova, Yu. M. Serov, P. A. Dementev, E. V. Ivanova, V. A. Kravez, V. P. Usacheva, M. V. Zamoryanskaya, “Investigation of a contamination film formed by the electron beam irradiation”, Tech. Phys., 64:9 (2019), 1336–1342 |
8
|
| 11. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Л. Шахмин, О. В. Рахимова, П. А. Дементьев, И. В. Седова, “Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 908–916 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. L. Shakhmin, O. V. Rakhimova, P. A. Dementev, I. V. Sedova, “Development of the physicochemical properties of the GaSb(100) surface in ammonium sulfide solutions”, Semiconductors, 53:7 (2019), 892–900 |
6
|
| 12. |
Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, П. А. Дементьев, “Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 654–658 ; L. N. Luk'yanova, I. V. Makarenko, O. A. Usov, P. A. Dementev, “Topological surface states of Dirac fermions in $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ thermoelectrics”, Semiconductors, 53:5 (2019), 647–651 |
2
|
| 13. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 17–20 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “A new type of carbon nanostructure on a vicinal SiС(111)-8$^\circ$ surface”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 201–204 |
8
|
|
2018 |
| 14. |
П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, Л. Б. Матюшкин, А. В. Нежданов, А. Н. Смирнов, Д. О. Филатов, “Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии”, Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018), 752–757 ; P. A. Dementev, M. S. Dunaevskii, L. B. Matyshkin, A. V. Nezhdanov, A. N. Smirnov, D. O. Filatov, “Study of CsPbBr$_{3}$ nanocrystals and their agglomerates by combined scanning probe microscopy and optical spectrometry”, Optics and Spectroscopy, 125:6 (2018), 858–863 |
2
|
|
2016 |
| 15. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, Б. В. Сеньковский, “Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1348–1352 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, B. V. Senkovskiy, “The C 1$s$ core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4$^\circ$ layer and Cs/SiC/Si(111)-4$^\circ$ interface”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1327–1332 |
3
|
| 16. |
Я. А. Пархоменко, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 993–996 ; Ya. A. Parkhomenko, P. A. Dementev, K. D. Moiseev, “Quantum dots grown in the InSb/GaSb system by liquid-phase epitaxy”, Semiconductors, 50:7 (2016), 976–979 |
5
|
| 17. |
В. В. Романов, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 927–931 ; V. V. Romanov, P. A. Dementev, K. D. Moiseev, “Effect of multicomponent InAsSbP matrix surface on formation of InSb quantum dots at MOVPE growth”, Semiconductors, 50:7 (2016), 910–914 |
3
|
| 18. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, Б. В. Сеньковский, С. Н. Тимошнев, “Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 465–469 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, B. V. Senkovskiy, S. N. Timoshnev, “Induced surface states of the ultrathin Ва/3$C$-SiC(111) interface”, Semiconductors, 50:4 (2016), 457–461 |
2
|
| 19. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 51–57 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4$^\circ$ surface and the Cs/SiC(100) 4$^\circ$ interface”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1145–1148 |
3
|
|
|
|
2020 |
| 20. |
S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1383 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660 |
|
Обратная связь: