|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев, “Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1404–1409   ; I. M. Vikulin, V. È. Gorbachev, Sh. D. Kurmashev, “Degradation of the parameters of transistor temperature sensors under the effect of ionizing radiation”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1354–1359 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
И. М. Викулин, Б. В. Коробицын, С. К. Криськив, “Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с $p$–$n$-переходами”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1238–1241 ; I. M. Vikulin, B. V. Korobitsyn, S. K. Kriskiv, “On methods of determining the band gap of semiconductor structures with $p$–$n$ junctions”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1216–1219 |
1
|
|
1985 |
| 3. |
В. И. Шаховцов, И. М. Викулин, М. А. Глауберман, Н. А. Канищева, В. В. Козел, В. А. Прохоров, “К вопросу о радиационной стойкости кремниевых магниточувствительных
транзисторов”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1247–1248  |
|
1984 |
| 4. |
И. М. Викулин, М. А. Глауберман, В. В. Козел, Н. А. Канищева, “Исследование двухколлекторных магнитотиристоров”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 547–550 |
|
Обратная связь: