Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Ковальчук Ю В

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 28
Научных статей: 28

Статистика просмотров:
Эта страница:69
Страницы публикаций:1254
Полные тексты:653

https://www.mathnet.ru/rus/person161289
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1991
1. С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, М. Ю. Силова, И. А. Соколов, М. И. Этинберг, “Фазовые превращения аморфного бинарного полупроводника в процессе импульсного лазерного воздействия”, Физика твердого тела, 33:1 (1991),  99–103  mathnet  isi
2. С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, Г. де ла Круз, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, “Об условиях образования галлий-стабилизированной поверхности GaAs (100) в процессе эпитаксии из молекулярных пучков”, Письма в ЖТФ, 17:24 (1991),  94–98  mathnet  isi
3. С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Г. де ла Круз, А. Ю. Островский, Ю. В. Погорельский, И. Ю. Русанович, И. А. Соколов, Н. Н. Фалеев, Г. А. Фокин, М. И. Этинберг, “Исследование кристаллического качества твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков”, Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  42–44  mathnet  isi
4. Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, А. Ю. Островский, И. Ю. Русанович, И. А. Соколов, Г. А. Фокин, В. П. Чалый, М. И. Этинберг, М. Л. Александров, А. А. Майоров, С. С. Романов, М. В. Степанов, “Исследование полупроводникового AlGaAs$-$GaAs гетеролазера, изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  6–10  mathnet  isi
1990
5. С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, “О возможном механизме холодного ядерного синтеза”, Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  91–94  mathnet  isi
1989
6. С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, М. Ю. Силова, И. А. Соколов, М. И. Этинберг, “Динамика плавления и кристаллизации тонких аморфных имплантированных слоев кремния под действием наносекундных лазерных импульсов”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  13–17  mathnet  isi
7. С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, А. Ю. Островский, Ю. В. Погорельский, И. Ю. Русанович, И. А. Соколов, Г. А. Фокин, М. И. Этинберг, “Лазерная очистка подложки для молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия: исследование с помощью дифракции быстрых электронов”, Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  67–69  mathnet  isi
1986
8. С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, “Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения (обзор)”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  1945–1969  mathnet
9. Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, “О восстановлении люминесцентных свойств имплантированного фосфида индия под действием импульсного лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1217–1222  mathnet  isi
10. М. Ю. Аверьянова, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, В. З. Пятаев, И. А. Соколов, “Динамика плавления кристаллического фосфида индия под действием наносекундного лазерного импульса”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1119–1122  mathnet  isi
11. А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. П. Погорельский, И. А. Соколов, “Аномальное поведение оптических характеристик расплава фосфида индия, полученного при воздействии наносекундного лазерного импульса”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1115–1119  mathnet  isi
1985
12. Е. Н. Арутюнов, Л. В. Беляков, А. Н. Васильев, Д. Н. Горячев, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, О. М. Сресели, “Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига”, ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148  mathnet  isi
13. Ю. В. Ковальчук, В. И. Кучинский, В. Е. Мячин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, И. А. Соколов, М. Г. Васильев, “Инжекционный гетеролазер InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом”, ЖТФ, 55:10 (1985),  2034–2036  mathnet  isi
14. Е. Н. Арутюнов, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, В. Б. Смирницкий, И. А. Соколов, “О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов”, Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  921–924  mathnet  isi
15. Ж. И. Алфёров, Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, Ю. В. Погорельский, И. А. Соколов, “О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия”, Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920  mathnet  isi
16. М. Ю. Аверьянова, Ю. В. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, О. В. Смольский, “Динамика коэффициента отражения кристаллических $Si$ и $Ga\,As$ при воздействии пикосекундных лазерных импульсов”, Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  761–765  mathnet  isi
17. Е. В. Калинина, Ю. В. Ковальчук, Г. В. Прищепа, О. В. Смольский, “Влияние воздействия ультракоротких лазерных импульсов на электрофизические свойства карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  669–671  mathnet  isi
18. Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, “Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия”, Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  368–371  mathnet  isi
1984
19. Ю. В. Ковальчук, В. И. Кучинский, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, В. И. Скопина, “Двухдлинноволновый лазерный отжиг полупроводников”, ЖТФ, 54:7 (1984),  1408–1410  mathnet  isi
20. Х. П. Алум, Ю. В. Ковальчук, Г. В. Островская, “Нелинейная интерферометрия”, ЖТФ, 54:5 (1984),  896–904  mathnet  isi
21. Б. Г. Захаров, М. В. Ковальчук, Ю. В. Ковальчук, А. С. Семилетов, О. В. Смольский, Е. А. Созонтов, “Техника стоячих рентгеновских волн в исследовании лазерной амортизации арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1402–1405  mathnet  isi
1983
22. В. Н. Абакумов, Ж. И. Алфров, Ю. В. Ковальчук, Е. Л. Портной, “К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2224–2228  mathnet
23. Ж. И. Алфров, В. Н. Абакумов, Ю. В. Ковальчук, Г. В. Островская, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, И. А. Соколов, “Интерференционный лазерный отжиг полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  235–241  mathnet
24. Ж. И. Алфров, Ю. В. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, О. В. Смольский, И. А. Соколов, “Новый фазовый переход в SiC и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов”, Письма в ЖТФ, 9:22 (1983),  1373–1376  mathnet
25. Е. Н. Арутюнов, Ю. В. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, Е. Л. Портной, О. В. Смольский, “О возможностях метода фотолюминесценции в исследовании лазерной аморфизации арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1298–1301  mathnet
26. С. Ю. Карпов, Ю. В. Ковальчук, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, Н. И. Майорова, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом”, Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1294–1297  mathnet
27. Ж. И. Алфров, Ю. В. Ковальчук, О. В. Смольский, И. А. Соколов, “Аморфизация монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов”, Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  897–900  mathnet
28. Ю. В. Ковальчук, Е. Л. Портной, В. И. Скопина, В. Б. Смирницкий, О. В. Смольский, И. А. Соколов, “Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига”, Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  850–853  mathnet
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024