|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Г. И. Кольцов, В. В. Макаров, “Некоторые эффекты, влияющие на профиль распределения внедренных ионов
в кристаллических мишенях полупроводниковых соединений
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ после ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 373–378  |
| 2. |
В. В. Макаров, С. И. Игонин, “Применение высокоразрешающей спектроскопии упругого отражения
для исследования дифракционных эффектов при взаимодействии быстрых электронов
с монокристаллами”, Письма в ЖТФ, 17:7 (1991), 10–12  |
|
1989 |
| 3. |
В. В. Макаров, В. П. Артемьев, Н. Н. Петров, “Электронный аналог метода обратного рассеяния быстрых ионов
для исследования глубинных профилей дефектов в монокристаллах”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 30–33 |
|
1987 |
| 4. |
С. И. Игонин, В. В. Макаров, “Определение химического состава соединений по энергетическим спектрам упругого отражения быстрых электронов”, Письма в ЖТФ, 13:17 (1987), 1043–1047 |
|
1986 |
| 5. |
В. А. Гудков, Г. А. Крысов, В. В. Макаров, “Влияние поверхностной диссоциации на свойства ионно-имплантированных
$p$-слоев карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 170–172 |
| 6. |
В. В. Макаров, О. А. Подсвиров, “Влияние нецентросимметричности кристаллической решетки на картины каналирования электронов”, Письма в ЖТФ, 12:8 (1986), 501–505 |
|
1984 |
| 7. |
В. А. Гудков, Г. А. Крысов, В. В. Макаров, “Исследование влияния режимов ионной имплантации и отжига карбида
кремния на кристаллическую структуру и сопротивление слоев $p$-типа
проводимости”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1098–1100 |
| 8. |
Е. Е. Квасов, В. В. Макаров, “Термоупругие напряжения при импульсном отжиге кремния в миллисекундном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 747–750 |
|
Обратная связь: