Дискретное стохастическое моделирование рекомбинации электронов и дырок в 2D- и 3D-неоднородных полупроводниках

Представлены клеточно-автоматные стохастические модели рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике в двумерном и трёхмерном случаях. Исследована кинетика процесса рекомбинации электронов и дырок в режимах чистой диффузии, диффузии с туннелированием и диффузии частиц при наличии рекомбинационных центров. Изучен характер электронно-дырочных пространственных корреляций, полученных с помощью клеточно-автоматной модели, и связанного с этим формирования сегрегации в 2D- и 3D-полупроводниках. Путём численного моделирования вычислены и исследованы основные характеристики процесса рекомбинации: плотности частиц и интенсивность фотолюминесценции. Кроме того, проанализирована зависимость времени выполнения параллельных программ, реализующих клеточно-автоматные модели рекомбинации в двумерном и трёхмерном случаях, от значений таких модельных параметров, как начальная плотность электронно-дырочных пар и размер моделируемой области.