Центры окраски и свечения в кристаллах LuAG и LuAG : Pr до и после воздействия $^{60}$Co гамма-излучения

Проведено сравнительное изучение спектров поглощения, термолюминесценции и их релаксации в чистых кристаллах LuAG и активированных ионами празеодима LuAG : Pr для выявления вклада собственных и примесных дефектов до и после облучения гамма-квантами со средней энергией 1.25 MeV источника $^{60}$Со при мощности дозы 0.8 Gy/s дозой 10$^{3}$ Gy при 310 K. Существование собственных дефектов $F^{+}$ с характерной полосой поглощения 375 nm и примесных центров Cr$^{4+}$, поглощающих в 285, 420, 490 и 595 nm, в обоих образцах LuAG и LuAG : Pr до облучения связано с технологией выращивания кристаллов и примесным составом шихты. Рост $F^{+}$- и Cr$^{4+}$-центров после гамма-облучения обусловлен зарядкой нейтральных $F$-центров и изменением электронного состояния (валентности) примесных ионов Cr$^{3+}$. Предполагается образование антиузельного дефектного комплекса Lu$^{3+}_{\mathrm{Al}}$–V$_{\mathrm{O}}$, ответственного за люминесценцию в полосе 335 nm. Первый широкий пик 340 K на кривых термовысвечивания обоих образцов после облучения дозой 10$^{3}$ Gy связан с освобождением носителей заряда из мелких уровней захвата, термическая активация и излучательная рекомбинация с центрами свечения начинается с 310 K, что ограничивает сверху интервал температур применения этих сцинтилляционных кристаллов.