Оптика и спектроскопия
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Оптика и спектроскопия:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Оптика и спектроскопия, 2018, том 125, выпуск 1, страницы 46–50
DOI: https://doi.org/10.21883/OS.2018.07.46265.5-18
(Mi os954)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия конденсированного состояния

Центры окраски и свечения в кристаллах LuAG и LuAG : Pr до и после воздействия $^{60}$Co гамма-излучения

А. Х. Исламовa, Э. М. Ибрагимоваa, И. А. Хайитовa, Р. Р. Вильдановb, М. З. Амоновa

a Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, г. Ташкент, пос. Улугбек
b Национальный университет Узбекистана, 100174 Ташкент, Узбекистан
Аннотация: Проведено сравнительное изучение спектров поглощения, термолюминесценции и их релаксации в чистых кристаллах LuAG и активированных ионами празеодима LuAG : Pr для выявления вклада собственных и примесных дефектов до и после облучения гамма-квантами со средней энергией 1.25 MeV источника $^{60}$Со при мощности дозы 0.8 Gy/s дозой 10$^{3}$ Gy при 310 K. Существование собственных дефектов $F^{+}$ с характерной полосой поглощения 375 nm и примесных центров Cr$^{4+}$, поглощающих в 285, 420, 490 и 595 nm, в обоих образцах LuAG и LuAG : Pr до облучения связано с технологией выращивания кристаллов и примесным составом шихты. Рост $F^{+}$- и Cr$^{4+}$-центров после гамма-облучения обусловлен зарядкой нейтральных $F$-центров и изменением электронного состояния (валентности) примесных ионов Cr$^{3+}$. Предполагается образование антиузельного дефектного комплекса Lu$^{3+}_{\mathrm{Al}}$–V$_{\mathrm{O}}$, ответственного за люминесценцию в полосе 335 nm. Первый широкий пик 340 K на кривых термовысвечивания обоих образцов после облучения дозой 10$^{3}$ Gy связан с освобождением носителей заряда из мелких уровней захвата, термическая активация и излучательная рекомбинация с центрами свечения начинается с 310 K, что ограничивает сверху интервал температур применения этих сцинтилляционных кристаллов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Программа фундаментальных научных исследований Республики Узбекистан ОТ-Ф2-09
ОТ-Ф2-26
Работа выполнена в рамках фундаментальных грантов ОТ-Ф2-09 и ОТ-Ф2-26 Агентства науки и технологий Республики Узбекистан.
Поступила в редакцию: 10.01.2018
Англоязычная версия:
Optics and Spectroscopy, 2018, Volume 125, Issue 1, Pages 49–53
DOI: https://doi.org/10.1134/S0030400X18070147
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Х. Исламов, Э. М. Ибрагимова, И. А. Хайитов, Р. Р. Вильданов, М. З. Амонов, “Центры окраски и свечения в кристаллах LuAG и LuAG : Pr до и после воздействия $^{60}$Co гамма-излучения”, Оптика и спектроскопия, 125:1 (2018), 46–50; Optics and Spectroscopy, 125:1 (2018), 49–53
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IslIbrKha18}
\by А.~Х.~Исламов, Э.~М.~Ибрагимова, И.~А.~Хайитов, Р.~Р.~Вильданов, М.~З.~Амонов
\paper Центры окраски и свечения в кристаллах LuAG и LuAG : Pr до и после воздействия $^{60}$Co гамма-излучения
\jour Оптика и спектроскопия
\yr 2018
\vol 125
\issue 1
\pages 46--50
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/os954}
\crossref{https://doi.org/10.21883/OS.2018.07.46265.5-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35270037}
\transl
\jour Optics and Spectroscopy
\yr 2018
\vol 125
\issue 1
\pages 49--53
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0030400X18070147}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/os954
  • https://www.mathnet.ru/rus/os/v125/i1/p46
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Оптика и спектроскопия Оптика и спектроскопия
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024