Плазмон-экситонное взаимодействие в планарных наноструктурах с квантовыми точками

Теоретически исследованы режимы слабой и сильной связи квантовых точек с поверхностными плазмонами в планарной наноструктуре. Проведены расчеты скоростей безызлучательной передачи энергии от квантовой точки к проводящей подложке и дисперсионных зависимостей гибридных плазмон-экситонных состояний при различных значениях параметров рассматриваемой системы. Показано, что скорость переноса энергии при межзонном переходе электрона и при переходе квантовых точек из экситонного состояния в основное может значительно превосходить скорость излучательной рекомбинации электрона и дырки. Установлено, что при определенных условиях величина расщепления Раби может достигать 100 meV и более.