Оптика и спектроскопия
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Оптика и спектроскопия:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Оптика и спектроскопия, 2019, том 126, выпуск 2, страницы 180–185
DOI: https://doi.org/10.21883/OS.2019.02.47201.130-18 (Mi os783) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физическая оптика

Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид

А. В. Бабичевa, Д. В. Денисовbc, P. Lavenusde, G. Jacopinf, M. Tchernychevade, F. H. Juliende, H. Zhangdef

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
d Université Paris-Sud, Orsay
e Univ. Paris Saclay, Orsay, France
f École Polytechnique Fédérale de Lausanne
Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/OS.2019.02.47201.130-18
Аннотация: Представлены результаты отработки технологических режимов формирования и исследования оптических свойств светодиодных микропирамид на основе InGaN/GaN. Структуры сформированы методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Светодиодные гетероструктуры на основе одиночных микропирамид демонстрируют электролюминесценцию на длине волны 520–590 nm, которая сдвигается в коротковолновую область с увеличением токовой накачки. Данные источники излучения представляют интерес для формирования точечных источников света высокой интенсивности для биосенсорных применений.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 16.9789.2017/БЧ
Д. В. Денисов благодарит за частичную поддержку исследований Министерство образования и науки РФ (государственное задание № 16.9789.2017/БЧ).
Поступила в редакцию: 17.05.2018
Исправленный вариант: 19.10.2018
Англоязычная версия:
Optics and Spectroscopy, 2019, Volume 126, Issue 2, Pages 118–123
DOI: https://doi.org/10.1134/S0030400X19020036
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, Д. В. Денисов, P. Lavenus, G. Jacopin, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид”, Оптика и спектроскопия, 126:2 (2019), 180–185; Optics and Spectroscopy, 126:2 (2019), 118–123
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabDenLav19}
\by А.~В.~Бабичев, Д.~В.~Денисов, P.~Lavenus, G.~Jacopin, M.~Tchernycheva, F.~H.~Julien, H.~Zhang
\paper Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид
\jour Оптика и спектроскопия
\yr 2019
\vol 126
\issue 2
\pages 180--185
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/os783}
\crossref{https://doi.org/10.21883/OS.2019.02.47201.130-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37481216}
\transl
\jour Optics and Spectroscopy
\yr 2019
\vol 126
\issue 2
\pages 118--123
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0030400X19020036}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/os783
  • https://www.mathnet.ru/rus/os/v126/i2/p180
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Оптика и спектроскопия Оптика и спектроскопия
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024