|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Всероссийская научная конференции ''Современные проблемы оптики и спектроскопии'', Троицк, Москва, 28-29 ноября 2018 года
Спектроскопия конденсированного состояния
Динамика решетки и электронные свойства нелинейного кристалла BaGa$_{2}$GeS$_{6}$: комбинационное рассеяние, ИК отражение и расчет ab initio
С. А. Климинa, Б. Н. Мавринa, И. В. Будкинa, В. В. Бадиковb, Д. В. Бадиковb a Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк
b Кубанский государственный университет, Лаборатория высоких технологий, Краснодар, Россия
Аннотация:
Получены поляризованные спектры комбинационного рассеяния света и ИК отражения кристалла BaGa$_{2}$GeS$_{6}$ с разупорядочением атомов Ga и Ge, занимающих одну и ту же кристаллографическую позицию. Спектры ИК отражения обрабатывались методом дисперсионного анализа. Вычислены дисперсия фононов, плотность фононных состояний, электронная зонная структура и парциальные плотности электронных состояний в приближении DFT, используя метод алхимического потенциала для разупорядоченных атомов Ga и Ge. Найдено, что в колебательных спектрах валентные колебания отделены от деформационных мод щелью около 100 cm$^{-1}$, а в зонной структуре кристалла имеется непрямая энергетическая щель.
Ключевые слова:
нелинейные кристаллы, динамика решетки, комбинационное рассеяние, ИК отражение.
Поступила в редакцию: 25.02.2019 Исправленный вариант: 25.02.2019 Принята в печать: 15.03.2019
Образец цитирования:
С. А. Климин, Б. Н. Маврин, И. В. Будкин, В. В. Бадиков, Д. В. Бадиков, “Динамика решетки и электронные свойства нелинейного кристалла BaGa$_{2}$GeS$_{6}$: комбинационное рассеяние, ИК отражение и расчет ab initio”, Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019), 20–24; Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 14–18
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/os658 https://www.mathnet.ru/rus/os/v127/i1/p20
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 |
|