Оптика и спектроскопия
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Оптика и спектроскопия:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Оптика и спектроскопия, 2019, том 127, выпуск 2, страницы 318–324
DOI: https://doi.org/10.21883/OS.2019.08.48049.364-18
(Mi os650)
 

Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

Нанофотоника

Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии

В. А. Швецab, Н. Н. Михайловab, Д. Г. Икусовa, И. Н. Ужаковa, С. А. Дворецкийac

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация: Разработан эллипсометрический метод восстановления профиля состава по толщине в тонких нанослоях гетероструктур, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе соединения кадмий-ртуть-теллур. Метод основан на решении обратной эллипсометрической задачи с заменой части неоднородного слоя однородной средой со специально подобранными оптическими константами. Численное моделирование показало корректность такой замены и эффективность разработанного алгоритма. С помощью данного метода проведено исследование активной области гетероструктуры, состоящей из пяти квантовых ям HgTe, разделенных обкладками широкозонного CdHgTe. Основываясь на результатах непрерывных in situ эллипсометрических измерений, выполненных в процессе роста гетероструктуры, рассчитаны профили состава для всех пяти последовательно выращенных квантовых ям и показана высокая воспроизводимость зависимостей их состава от толщины.
Ключевые слова: эллипсометрические параметры, молекулярно-лучевая эпитаксия, профиль состава.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-20053
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0306-2016-0003
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ, проект № 18-29-20053 и Государственным заданием № 0306-2016-0003.
Поступила в редакцию: 11.12.2018
Исправленный вариант: 11.02.2019
Принята в печать: 22.03.2019
Англоязычная версия:
Optics and Spectroscopy, 2019, Volume 127, Issue 2, Pages 340–346
DOI: https://doi.org/10.1134/S0030400X19080253
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Швец, Н. Н. Михайлов, Д. Г. Икусов, И. Н. Ужаков, С. А. Дворецкий, “Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии”, Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019), 318–324; Optics and Spectroscopy, 127:2 (2019), 340–346
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShvMikIku19}
\by В.~А.~Швец, Н.~Н.~Михайлов, Д.~Г.~Икусов, И.~Н.~Ужаков, С.~А.~Дворецкий
\paper Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии
\jour Оптика и спектроскопия
\yr 2019
\vol 127
\issue 2
\pages 318--324
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/os650}
\crossref{https://doi.org/10.21883/OS.2019.08.48049.364-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131022}
\transl
\jour Optics and Spectroscopy
\yr 2019
\vol 127
\issue 2
\pages 340--346
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0030400X19080253}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/os650
  • https://www.mathnet.ru/rus/os/v127/i2/p318
  • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Оптика и спектроскопия Оптика и спектроскопия
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024