|
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)
Нанофотоника
Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии
В. А. Швецab, Н. Н. Михайловab, Д. Г. Икусовa, И. Н. Ужаковa, С. А. Дворецкийac a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация:
Разработан эллипсометрический метод восстановления профиля состава по толщине в тонких нанослоях гетероструктур, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе соединения кадмий-ртуть-теллур. Метод основан на решении обратной эллипсометрической задачи с заменой части неоднородного слоя однородной средой со специально подобранными оптическими константами. Численное моделирование показало корректность такой замены и эффективность разработанного алгоритма. С помощью данного метода проведено исследование активной области гетероструктуры, состоящей из пяти квантовых ям HgTe, разделенных обкладками широкозонного CdHgTe. Основываясь на результатах непрерывных in situ эллипсометрических измерений, выполненных в процессе роста гетероструктуры, рассчитаны профили состава для всех пяти последовательно выращенных квантовых ям и показана высокая воспроизводимость зависимостей их состава от толщины.
Ключевые слова:
эллипсометрические параметры, молекулярно-лучевая эпитаксия, профиль состава.
Поступила в редакцию: 11.12.2018 Исправленный вариант: 11.02.2019 Принята в печать: 22.03.2019
Образец цитирования:
В. А. Швец, Н. Н. Михайлов, Д. Г. Икусов, И. Н. Ужаков, С. А. Дворецкий, “Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом одноволновой эллипсометрии”, Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019), 318–324; Optics and Spectroscopy, 127:2 (2019), 340–346
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/os650 https://www.mathnet.ru/rus/os/v127/i2/p318
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 23 |
|