Тип оптических переходов на краю фундаментального поглощения кристаллов TlGaSe$_{2}$ и TInS$_{2}$, подвергнутых $\gamma$-облучению

Изучено влияние $\gamma$-облучения на оптические свойства слоистых кристаллов TlGaSe$_{2}$ и TlInS$_{2}$ в диапазоне длин волн 400–1100 nm при 300 K. Из анализа спектров оптического поглощения определены энергии прямых и непрямых оптических межзонных переходов до и после $\gamma$-облучения. Показано, что по мере накопления дозы $\gamma$-облучения в области 0–25 Мrad монокристаллами TlGaSe$_{2}$ и TlInS$_{2}$ наблюдается рост энергий прямых и непрямых разрешенных оптических переходов от значений $E_{\operatorname{gd}}$ = 2.06 eV и $E_{\operatorname{gi}}$ = 1.90 eV при $D$ = 0 Мrad, до $E_{\operatorname{gd}}$ = 2.11 eV и $E_{\operatorname{gi}}$ = 1.98 eV при $D$ = 25 Мrad для кристаллов TlGaSe$_{2}$ и $E_{\operatorname{gd}}$ = 2.32 eV и $E_{\operatorname{gi}}$ = 2.27 eV при $D$ = 0 Мrad до $E_{\operatorname{gd}}$ = 2.35 и $E_{\operatorname{gi}}$ = 2.32 eV при $D$ = 25 Мrad для кристаллов TlInS$_{2}$. Наблюдается уменьшение коэффициента пропускания при дозах от 0 до 5 Мrad и дальнейший рост коэффициента пропускания при дозе облучения $D$ = 25 Мrad.