Магнитоотражение и эффект Керра в пленках La$_{2/3}$Ba$_{1/3}$MnO$_{3}$ с вариантной структурой

В пленках La$_{2/3}$Ba$_{1/3}$MnO$_{3}$ с вариантной структурой, выращенных на подложках ZrO$_{2}$(Y$_{2}$O$_{3}$), обнаружена корреляция между эффектом магнитоотражения естественного света и туннельным магнитосопротивлением. Показано, что эффект магнитоотражения в пленках, как и колоссальное магнитосопротивление, максимален в области магнитного упорядочения вблизи комнатной температуры ($T_{C}\sim$ 295 K). Спектры магнитоотражения пленки La$_{2/3}$Ba$_{1/3}$MnO$_{3}$ с вариантной структурой формируются теми же механизмами, что и в случае пленок без вариантной структуры, и могут быть описаны в рамках теории магниторефрактивного эффекта. Полевые и температурные зависимости магнитоотражения демонстрируют наличие дополнительного низкотемпературного вклада в отражение пленки La$_{2/3}$Ba$_{1/3}$MnO$_{3}$ вследствие процессов туннелирования спин-поляризованных электронов через границы структурных доменов.