|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Спектроскопия и физика атомов и молекул
Применение магнито-индуцированных переходов в атомах $^{87}$Rb в когерентных оптических процессах
А. Саргсянa, Т. А. Вартанянb, Д. Саркисянa a Институт физических исследований НАН Армении, Аштарак, Армения
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Экспериментально продемонстрирована перспективность применения магнито-индуцированных (MI) переходов $^{87}$Rb D$_{2}$-линии $F_{g}=1\to F_{e}$ = 3 для формирования оптических резонансов в сильных магнитных полях вплоть до 3 kG. Используется ячейка микронной толщины, заполненная парами атомов Rb. Приведен простой и удобный метод для определения магнитной индукции с микронным пространственным разрешением. Необходимость в использовании реперного спектра при этом отпадает. Вероятность MI-перехода в интервале магнитных полей 0.3–2 kG может превосходить вероятность обычного атомного перехода, что делает целесообразным его использование в качестве связывающего или пробного в -$\Lambda$ и V-системах для формирования темных резонансов в процессах электромагнитно индуцированной прозрачности (EIT). Темные резонансы, смещенные в сильных магнитных полях на величины порядка 10 GHz, могут найти ряд практических применений. Отметим, что в магнитных полях, превышающих 1 kG, в $\Lambda$-системах на обычных атомных переходах темные резонансы практически не формируются.
Ключевые слова:
магнито-индуцированные переходы, сверхтонкая структура, D$_2$-линия $^{87}$Rb, микроячейка.
Поступила в редакцию: 16.09.2019 Исправленный вариант: 16.09.2019 Принята в печать: 23.09.2019
Образец цитирования:
А. Саргсян, Т. А. Вартанян, Д. Саркисян, “Применение магнито-индуцированных переходов в атомах $^{87}$Rb в когерентных оптических процессах”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 16–23; Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 12–20
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/os490 https://www.mathnet.ru/rus/os/v128/i1/p16
|
|