Влияние коронного разряда на оптические свойства тонкопленочных структур Cu–As$_{2}$Se$_{3}$

Изучено влияние поля коронного разряда на голографическую запись дифракционных решеток в тонкопленочной структуре Cu–As$_{2}$Se$_{3}$, полученной методом термического осаждения в вакууме на стеклянных подложках. Установлено, что приложение отрицательного коронного разряда во время записи приводит к увеличению голографической чувствительности структуры Cu–As$_{2}$Se$_{3}$ и дифракционной эффективности решеток. Облучение актиничным светом приводило к потемнению структуры Cu–As$_{2}$Se$_{3}$ в спектральной области сильного поглощения и просветлению в области слабого поглощения. Приложение положительного коронного разряда приводило к усилению фотопросветления, а отрицательного коронного разряда – к его ослаблению. Полученные экспериментальные результаты качественно объясняются в предположении диффузии ионов Cu$^{+}$ в пленку As$_{2}$Se$_{3}$.