Электролюминесценция слоев Ta$_{2}$O$_{5}$, полученных методом молекулярного наслаивания

Показана возможность использования электролюминесценции для исследования структур Si–Ta$_{2}$O$_{5}$ и Si–SiO$_{2}$–Ta$_{2}$O$_{5}$ и получения информации об электронном строении слоя Ta$_{2}$O$_{5}$ и свойствах границы SiO$_{2}$–Ta$_{2}$O$_{5}$. Предложена модель электронного строения слоя Ta$_{2}$O$_{5}$, полученного методом молекулярного наслаивания, позволяющая объяснить вид спектрального распределения люминесценции независимо от способа ее возбуждения. Показано, что формирование слоя Ta$_{2}$O$_{5}$ на поверхности термически окисленного кремния сопровождается трансформацией в приповерхностной области SiO$_{2}$ и гашением полосы люминесценции в спектральной области 650 nm.