|
Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов
Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур
А. В. Алафердовabc, О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, Б. Н. Звонковa, С. А. Мошкалевbd a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Center for Semiconducting Components and Nanotechnologies, Brazil
c The "Gleb Wataghin" Institute of Physics, University of Campinas, Brazil
d Universidade Estadual de Campinas, Brazil
Аннотация:
Экспериментально обнаружено существенное (почти на два порядка величины) увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции диодной структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs, слоем GaMnAs в качестве спинового инжектора и контактным покрытием из пленки многослойного графена. Результат объясняется возможным образованием гибридной системы многослойного графена и полупроводника GaAs под воздействием излучения He–Ne-лазера, приводящим к изменению зонной диаграммы гетероструктуры.
Ключевые слова:
светоизлучающая структура, GaAs, квантовая яма, многослойный графен, люминесценция, лазерное воздействие.
Поступила в редакцию: 06.11.2019 Исправленный вариант: 06.11.2019 Принята в печать: 26.11.2019
Образец цитирования:
А. В. Алафердов, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, С. А. Мошкалев, “Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур”, Оптика и спектроскопия, 128:3 (2020), 399–406; Optics and Spectroscopy, 128:3 (2020), 387–394
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/os455 https://www.mathnet.ru/rus/os/v128/i3/p399
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 11 |
|