Параметризованный эффективный потенциал для возбужденных состояний и его применение к расчету дипольных моментов перехода

Метод параметризованного эффективного потенциала, предложенный ранее для основного состояния, развит для возбужденных состояний с симметрией основного. Обсуждены различные приближения для определения обменно-корреляционных потенциалов, $V_{xc}$. В частности, на основе требования симметрии $V_{xc}$ представлен один из рецептов построения нового класса $V_{xc}$, который является функционалом внешнего потенциала (взаимодействия электрон-ядро) в отличие от традиционных подходов, где $V_{xc}$ явно или неявно зависят от электронной плотности. Возможности метода исследованы на примере расчета электронных дипольных моментов перехода молекулы НеН с однодетерминантной волновой функцией. Показано, что предложенный метод расчета дипольных моментов перехода можно рассматривать как компромисс между точностью и вычислительными усилиями.