Определение стехиометрии, концентрации ОН-групп и точечных дефектов в кристаллах ниобата лития по ИК спектрам поглощения

По ИК спектрам поглощения в области валентных колебаний ОН-групп рассчитаны концентрация примесных ОН-групп, отношение Li/Nb, а также концентрация точечных дефектов Nb$_{Li}^{4+}$ и $V_{Li}^{-}$ в кристаллах LiNbO$_{3}$ стехиометрического и конгруэнтного составов, а также в кристаллах, легированных магнием и цинком в концентрациях, близких к пороговым. Обнаружена корреляция в поведении полос в ИК спектрах поглощения сильно легированных кристаллов LiNbO$_{3}$ : Mg и LiNbO$_{3}$ : Zn с поведением линии спектра комбинационного рассеяния, отвечающей валентным мостиковым колебаниям атомов кислорода в октаэдре NbO$_{6}$ вдоль полярной оси.