Особенности спектрально-разрешенной термолюминесценции в облученных микрокристаллах нитрида алюминия

Исследованы закономерности процессов фото- и термолюминесценции в субмикронных кристаллах AlN с катионным дефицитом после возбуждения УФ излучением. Наблюдаемые спектры свечения представляют собой суперпозицию полос с максимумами при 3.0 и 2.5 eV. Указанные спектральные особенности обусловлены электронными переходами с участием примесных O$_{N}$ и кислород-вакансионных центров типа ($V_{\mathrm{Al}}$–O$_{\mathrm{N}}$). Центры захвата носителей заряда на основе азотных вакансий $V_{\mathrm{N}}$, согласно количественному анализу в рамках описания кинетических процессов общего порядка, имеют энергию активации 0.45 eV и отвечают за формирование термоактивационного пика при температуре 345 K.